أخبار

معظم ترانزستورات MOSFET المستخدمة في تطبيقات الطاقة هي أجهزة تركيب سطحي (SMD)، بما في ذلك عبوات مثل SO8FL وu8FL وLFPAK. ويُعزى اختيار هذه الأجهزة عادةً إلى قدرتها العالية على تحمل الطاقة وحجمها الصغير، مما يُسهم في الحصول على حلول أكثر إحكامًا. وعلى الرغم من قدرة هذه الأجهزة العالية على تحمل الطاقة، إلا أن تبديد الحرارة فيها قد لا يكون مثاليًا في بعض الأحيان.

يشير مصطلح "طوبولوجيا الدائرة" إلى العلاقة بين أجهزة الطاقة والمكونات الكهرومغناطيسية في الدائرة، بينما يعتمد تصميم المكونات المغناطيسية ودوائر التعويض ذات الحلقة المغلقة وجميع مكونات الدائرة الأخرى على هذه الطوبولوجيا. ومن أبسط أنواع الطوبولوجيات: محولات باك، ومحولات بوست، ومحولات باك/بوست، ومحولات فلايباك أحادية الطرف (فلايباك معزولة)، ومحولات أمامية، ومحولات دفع-سحب، ومحولات نصف الجسر، ومحولات الجسر الكامل.

يمكن استخدام SiC للحصول على ثنائيات عالية الجهد فوق 600 فولت في بنية SBD (ثنائي حاجز شوتكي) للأجهزة عالية التردد (أعلى قدرة تحمل جهد لـ SBD السيليكوني تبلغ حوالي 200 فولت).